在芯片制造方面,由于华為(wèi)和(hé)中芯國(guó)际被列入美國(guó)政府的实体清单(分别是中國(guó)最先进的芯片设计和(hé)代工(gōng)),中國(guó)半导体产业受到了(le)不小的影响。由于這(zhè)一(yī)变化,從(cóng) 2020 年(nián) 9 月到 2021 年(nián) 11 月,中國(guó)晶圆制造商在成熟节点(>=14nm)上(shàng)增加了(le)近 50 万片/月的晶圆(WPM)产能(néng),而在先进节点上(shàng)仅增加了(le) 1 万片产能(néng)。仅中國(guó)的晶圆产能(néng)增長(cháng)就占全球总量的 26% 。2021 年(nián),中國(guó)也開(kāi)始了(le)國(guó)产移动 19nm DDR4 DRAM 设备和(hé) 64 层 3D NAND 闪存芯片的商业出货,并開(kāi)始了(le) 128 层产品尝试。虽然中國(guó)存储器行(xíng)业仍处于发展初期,但(dàn)预计中國(guó)存储器企业在未来五年(nián)內(nèi)将实现 40-50% 的年(nián)复合增長(cháng)率并具有很(hěn)强的竞争力。在后端生产方面,中國(guó)是外(wài)包组装、封装和(hé)测试 (OSAT) 的全球领导者,其前三大 OSAT 参与者合计占据全球市场份额的 35% 以上(shàng)。种种迹象表明(míng),中國(guó)半导体芯片销售的快(kuài)速增長(cháng)很(hěn)可(kě)能(néng)会持续,這(zhè)在很(hěn)大程度上(shàng)归功于政府的坚定承诺以及面对不断恶化的美中关系的强有力的政策支持。尽管中國(guó)要(yào)赶上(shàng)现有的行(xíng)业领导者还有很(hěn)長(cháng)的路要(yào)走——尤其是在先进节点代工(gōng)生产、设备和(hé)材料方面——但(dàn)随着北京加强对半导体自(zì)力更生的关注,预计未来十年(nián)差距将进一(yī)步缩小。